AQX IRF7416TRPBF ಹೊಸ ಮತ್ತು ಮೂಲ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಐಸಿ ಚಿಪ್ IRF7416TRPBF
ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು
| ಮಾದರಿ | ವಿವರಣೆ |
| ವರ್ಗ | ಡಿಸ್ಕ್ರೀಟ್ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಉತ್ಪನ್ನಗಳು |
| Mfr | ಇನ್ಫಿನಿಯನ್ ಟೆಕ್ನಾಲಜೀಸ್ |
| ಸರಣಿ | ಹೆಕ್ಸ್ಫೆಟ್® |
| ಪ್ಯಾಕೇಜ್ | ಟೇಪ್ & ರೀಲ್ (TR) ಕಟ್ ಟೇಪ್ (CT) ಡಿಜಿ-ರೀಲ್® |
| ಉತ್ಪನ್ನ ಸ್ಥಿತಿ | ಸಕ್ರಿಯ |
| FET ಪ್ರಕಾರ | ಪಿ-ಚಾನೆಲ್ |
| ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ | MOSFET (ಮೆಟಲ್ ಆಕ್ಸೈಡ್) |
| ಡ್ರೈನ್ ಟು ಸೋರ್ಸ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (Vdss) | 30 ವಿ |
| ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25 ° ಸಿ | 10A (ತಾ) |
| ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಗಳು ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಗಳು ಆನ್) | 4.5V, 10V |
| Rds ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 5.6A, 10V |
| Vgs(th) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id | 1V @ 250µA |
| ಗೇಟ್ ಚಾರ್ಜ್ (Qg) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Vgs | 92 nC @ 10 V |
| Vgs (ಗರಿಷ್ಠ) | ±20V |
| ಇನ್‌ಪುಟ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (ಸಿಸ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಡಿಎಸ್ | 1700 pF @ 25 V |
| FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ | - |
| ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರಸರಣ (ಗರಿಷ್ಠ) | 2.5W (ಟಾ) |
| ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ಆರೋಹಿಸುವ ವಿಧ | ಮೇಲ್ಮೈ ಮೌಂಟ್ |
| ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ | 8-SO |
| ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಕೇಸ್ | 8-SOIC (0.154″, 3.90mm ಅಗಲ) |
| ಮೂಲ ಉತ್ಪನ್ನ ಸಂಖ್ಯೆ | IRF7416 |
ದಾಖಲೆಗಳು ಮತ್ತು ಮಾಧ್ಯಮ
| ಸಂಪನ್ಮೂಲ ಪ್ರಕಾರ | LINK |
| ಡೇಟಾಶೀಟ್‌ಗಳು | IRF7416PbF |
| ಇತರ ಸಂಬಂಧಿತ ದಾಖಲೆಗಳು | IR ಭಾಗ ಸಂಖ್ಯೆ ವ್ಯವಸ್ಥೆ |
| ಉತ್ಪನ್ನ ತರಬೇತಿ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳು | ಹೈ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳು (HVIC ಗೇಟ್ ಡ್ರೈವರ್‌ಗಳು) |
| ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗೊಳಿಸಿದ ಉತ್ಪನ್ನ | ಡೇಟಾ ಸಂಸ್ಕರಣಾ ವ್ಯವಸ್ಥೆಗಳು |
| HTML ಡೇಟಾಶೀಟ್ | IRF7416PbF |
| EDA ಮಾದರಿಗಳು | ಅಲ್ಟ್ರಾ ಲೈಬ್ರರಿಯನ್ ಅವರಿಂದ IRF7416TRPBF |
| ಸಿಮ್ಯುಲೇಶನ್ ಮಾದರಿಗಳು | IRF7416PBF ಸೇಬರ್ ಮಾದರಿ |
ಪರಿಸರ ಮತ್ತು ರಫ್ತು ವರ್ಗೀಕರಣಗಳು
| ಗುಣಲಕ್ಷಣ | ವಿವರಣೆ |
| RoHS ಸ್ಥಿತಿ | ROHS3 ಕಂಪ್ಲೈಂಟ್ |
| ತೇವಾಂಶದ ಸೂಕ್ಷ್ಮತೆಯ ಮಟ್ಟ (MSL) | 1 (ಅನಿಯಮಿತ) |
| ರೀಚ್ ಸ್ಥಿತಿ | ರೀಚ್ ಬಾಧಿತವಾಗಿಲ್ಲ |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
ಹೆಚ್ಚುವರಿ ಸಂಪನ್ಮೂಲಗಳು
| ಗುಣಲಕ್ಷಣ | ವಿವರಣೆ |
| ಇತರ ಹೆಸರುಗಳು | IRF7416TRPBFDKR SP001554262 IRF7416TRPBFCT IRF7416TRPBF-ND IRF7416TRPBFTR |
| ಪ್ರಮಾಣಿತ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ | 4,000 |
IRF7416
ಪ್ರಯೋಜನಗಳು
ವಿಶಾಲ SOA ಗಾಗಿ ಪ್ಲ್ಯಾನರ್ ಸೆಲ್ ರಚನೆ
ವಿತರಣಾ ಪಾಲುದಾರರಿಂದ ವಿಶಾಲವಾದ ಲಭ್ಯತೆಗಾಗಿ ಆಪ್ಟಿಮೈಸ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ
JEDEC ಮಾನದಂಡದ ಪ್ರಕಾರ ಉತ್ಪನ್ನ ಅರ್ಹತೆ
<100KHz ಕೆಳಗೆ ಬದಲಾಯಿಸುವ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳಿಗೆ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಆಪ್ಟಿಮೈಸ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ
ಇಂಡಸ್ಟ್ರಿ ಸ್ಟ್ಯಾಂಡರ್ಡ್ ಮೇಲ್ಮೈ-ಮೌಂಟ್ ಪವರ್ ಪ್ಯಾಕೇಜ್
ತರಂಗ ಬೆಸುಗೆ ಹಾಕುವ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ
SO-8 ಪ್ಯಾಕೇಜ್‌ನಲ್ಲಿ -30V ಸಿಂಗಲ್ P-ಚಾನೆಲ್ HEXFET ಪವರ್ MOSFET
ಪ್ರಯೋಜನಗಳು
RoHS ಕಂಪ್ಲೈಂಟ್
ಕಡಿಮೆ RDS (ಆನ್)
ಉದ್ಯಮ-ಪ್ರಮುಖ ಗುಣಮಟ್ಟ
ಡೈನಾಮಿಕ್ ಡಿವಿ/ಡಿಟಿ ರೇಟಿಂಗ್
ವೇಗದ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್
ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ಹಿಮಪಾತವನ್ನು ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ
175°C ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ತಾಪಮಾನ
ಪಿ-ಚಾನೆಲ್ MOSFET
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಎಅರೆವಾಹಕ ಸಾಧನಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆವರ್ಧಿಸಲುಅಥವಾಸ್ವಿಚ್ವಿದ್ಯುತ್ ಸಂಕೇತಗಳು ಮತ್ತುಶಕ್ತಿ.ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಆಧುನಿಕ ನಿರ್ಮಾಣದ ಮೂಲ ವಸ್ತುಗಳಲ್ಲಿ ಒಂದಾಗಿದೆಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್.[1]ಇದು ರಚಿತವಾಗಿದೆಅರೆವಾಹಕ ವಸ್ತು, ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಕನಿಷ್ಠ ಮೂರು ಜೊತೆಟರ್ಮಿನಲ್ಗಳುಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗೆ ಸಂಪರ್ಕಕ್ಕಾಗಿ.ಎವೋಲ್ಟೇಜ್ಅಥವಾಪ್ರಸ್ತುತಒಂದು ಜೋಡಿ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ನ ಟರ್ಮಿನಲ್‌ಗಳಿಗೆ ಅನ್ವಯಿಸಿದರೆ ಮತ್ತೊಂದು ಜೋಡಿ ಟರ್ಮಿನಲ್‌ಗಳ ಮೂಲಕ ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ನಿಯಂತ್ರಿಸುತ್ತದೆ.ನಿಯಂತ್ರಿತ (ಔಟ್‌ಪುಟ್) ಶಕ್ತಿಯು ನಿಯಂತ್ರಿಸುವ (ಇನ್‌ಪುಟ್) ಶಕ್ತಿಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನದಾಗಿರುವುದರಿಂದ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಸಿಗ್ನಲ್ ಅನ್ನು ವರ್ಧಿಸುತ್ತದೆ.ಕೆಲವು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳನ್ನು ಪ್ರತ್ಯೇಕವಾಗಿ ಪ್ಯಾಕ್ ಮಾಡಲಾಗಿರುತ್ತದೆ, ಆದರೆ ಇನ್ನೂ ಅನೇಕವು ಅಂತರ್ಗತವಾಗಿರುವುದು ಕಂಡುಬರುತ್ತದೆಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳು.
ಆಸ್ಟ್ರೋ-ಹಂಗೇರಿಯನ್ ಭೌತಶಾಸ್ತ್ರಜ್ಞ ಜೂಲಿಯಸ್ ಎಡ್ಗರ್ ಲಿಲಿಯನ್ಫೆಲ್ಡ್ಎ ಪರಿಕಲ್ಪನೆಯನ್ನು ಪ್ರಸ್ತಾಪಿಸಿದರುಕ್ಷೇತ್ರ-ಪರಿಣಾಮದ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್1926 ರಲ್ಲಿ, ಆದರೆ ಆ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಕೆಲಸ ಮಾಡುವ ಸಾಧನವನ್ನು ನಿರ್ಮಿಸಲು ಸಾಧ್ಯವಾಗಲಿಲ್ಲ.[2]ನಿರ್ಮಿಸಲಾದ ಮೊದಲ ಕೆಲಸದ ಸಾಧನವು ಎಪಾಯಿಂಟ್-ಸಂಪರ್ಕ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್1947 ರಲ್ಲಿ ಅಮೇರಿಕನ್ ಭೌತಶಾಸ್ತ್ರಜ್ಞರು ಕಂಡುಹಿಡಿದರುಜಾನ್ ಬಾರ್ಡೀನ್ಮತ್ತುವಾಲ್ಟರ್ ಬ್ರಟೈನ್ಅಡಿಯಲ್ಲಿ ಕೆಲಸ ಮಾಡುವಾಗವಿಲಿಯಂ ಶಾಕ್ಲಿನಲ್ಲಿಬೆಲ್ ಲ್ಯಾಬ್ಸ್.ಮೂವರು 1956ರಲ್ಲಿ ಹಂಚಿಕೊಂಡರುಭೌತಶಾಸ್ತ್ರದಲ್ಲಿ ನೊಬೆಲ್ ಪ್ರಶಸ್ತಿಅವರ ಸಾಧನೆಗಾಗಿ.[3]ಅತ್ಯಂತ ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುವ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ವಿಧವಾಗಿದೆಮೆಟಲ್-ಆಕ್ಸೈಡ್-ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಫೀಲ್ಡ್-ಎಫೆಕ್ಟ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್(MOSFET), ಇದನ್ನು ಕಂಡುಹಿಡಿದರುಮೊಹಮ್ಮದ್ ಅತಲ್ಲಾಮತ್ತುಡಾವನ್ ಕಾಂಗ್1959 ರಲ್ಲಿ ಬೆಲ್ ಲ್ಯಾಬ್ಸ್‌ನಲ್ಲಿ.[4][5][6]ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ಕ್ಷೇತ್ರದಲ್ಲಿ ಕ್ರಾಂತಿಯನ್ನುಂಟು ಮಾಡಿತು ಮತ್ತು ಸಣ್ಣ ಮತ್ತು ಅಗ್ಗಕ್ಕೆ ದಾರಿ ಮಾಡಿಕೊಟ್ಟಿತುರೇಡಿಯೋಗಳು,ಕ್ಯಾಲ್ಕುಲೇಟರ್‌ಗಳು, ಮತ್ತುಕಂಪ್ಯೂಟರ್ಗಳು, ಇತರ ವಿಷಯಗಳ ನಡುವೆ.
ಹೆಚ್ಚಿನ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳನ್ನು ಅತ್ಯಂತ ಶುದ್ಧದಿಂದ ತಯಾರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆಸಿಲಿಕಾನ್, ಮತ್ತು ಕೆಲವುಜರ್ಮೇನಿಯಮ್, ಆದರೆ ಕೆಲವು ಇತರ ಅರೆವಾಹಕ ವಸ್ತುಗಳನ್ನು ಕೆಲವೊಮ್ಮೆ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ.ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಕ್ಷೇತ್ರ-ಪರಿಣಾಮದ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ನಲ್ಲಿ ಕೇವಲ ಒಂದು ರೀತಿಯ ಚಾರ್ಜ್ ಕ್ಯಾರಿಯರ್ ಅನ್ನು ಹೊಂದಿರಬಹುದು ಅಥವಾ ಎರಡು ರೀತಿಯ ಚಾರ್ಜ್ ಕ್ಯಾರಿಯರ್‌ಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರಬಹುದುಬೈಪೋಲಾರ್ ಜಂಕ್ಷನ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಸಾಧನಗಳು.ಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆನಿರ್ವಾತ ಕೊಳವೆ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಚಿಕ್ಕದಾಗಿರುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸಲು ಕಡಿಮೆ ಶಕ್ತಿಯ ಅಗತ್ಯವಿರುತ್ತದೆ.ಕೆಲವು ನಿರ್ವಾತ ಟ್ಯೂಬ್‌ಗಳು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳಿಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ಆವರ್ತನಗಳಲ್ಲಿ ಅಥವಾ ಹೆಚ್ಚಿನ ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್‌ಗಳಲ್ಲಿ ಪ್ರಯೋಜನಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿವೆ.ಅನೇಕ ತಯಾರಕರು ಪ್ರಮಾಣೀಕರಿಸಿದ ವಿಶೇಷಣಗಳಿಗೆ ಅನೇಕ ವಿಧದ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳನ್ನು ತಯಾರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ.
