IPD135N08N3G ಹೊಚ್ಚಹೊಸ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್
ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು
| ಮಾದರಿ | ವಿವರಣೆ |
| ವರ್ಗ | ಡಿಸ್ಕ್ರೀಟ್ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಉತ್ಪನ್ನಗಳು |
| Mfr | ಇನ್ಫಿನಿಯನ್ ಟೆಕ್ನಾಲಜೀಸ್ |
| ಸರಣಿ | OptiMOS™ |
| ಪ್ಯಾಕೇಜ್ | ಟೇಪ್ & ರೀಲ್ (TR) |
| ಉತ್ಪನ್ನ ಸ್ಥಿತಿ | ಬಳಕೆಯಲ್ಲಿಲ್ಲ |
| FET ಪ್ರಕಾರ | ಎನ್-ಚಾನೆಲ್ |
| ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ | MOSFET (ಮೆಟಲ್ ಆಕ್ಸೈಡ್) |
| ಡ್ರೈನ್ ಟು ಸೋರ್ಸ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (Vdss) | 80 ವಿ |
| ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25 ° ಸಿ | 45A (Tc) |
| ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಗಳು ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಗಳು ಆನ್) | 6V, 10V |
| Rds ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id, Vgs | 13.5mOhm @ 45A, 10V |
| Vgs(th) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id | 3.5V @ 33µA |
| ಗೇಟ್ ಚಾರ್ಜ್ (Qg) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Vgs (ಗರಿಷ್ಠ) | ±20V |
| ಇನ್‌ಪುಟ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (ಸಿಸ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಡಿಎಸ್ | 1730 pF @ 40 V |
| FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ | - |
| ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರಸರಣ (ಗರಿಷ್ಠ) | 79W (Tc) |
| ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ಆರೋಹಿಸುವ ವಿಧ | ಮೇಲ್ಮೈ ಮೌಂಟ್ |
| ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ | PG-TO252-3 |
| ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಕೇಸ್ | TO-252-3, DPak (2 ಲೀಡ್ಸ್ + ಟ್ಯಾಬ್), SC-63 |
| ಮೂಲ ಉತ್ಪನ್ನ ಸಂಖ್ಯೆ | IPD135N |
ದಾಖಲೆಗಳು ಮತ್ತು ಮಾಧ್ಯಮ
| ಸಂಪನ್ಮೂಲ ಪ್ರಕಾರ | LINK |
| ಡೇಟಾಶೀಟ್‌ಗಳು | IPD135N08N3G |
| ಇತರ ಸಂಬಂಧಿತ ದಾಖಲೆಗಳು | ಭಾಗ ಸಂಖ್ಯೆ ಮಾರ್ಗದರ್ಶಿ |
| ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗೊಳಿಸಿದ ಉತ್ಪನ್ನ | ಡೇಟಾ ಸಂಸ್ಕರಣಾ ವ್ಯವಸ್ಥೆಗಳು |
| HTML ಡೇಟಾಶೀಟ್ | IPD135N08N3G |
ಪರಿಸರ ಮತ್ತು ರಫ್ತು ವರ್ಗೀಕರಣಗಳು
| ಗುಣಲಕ್ಷಣ | ವಿವರಣೆ |
| ತೇವಾಂಶದ ಸೂಕ್ಷ್ಮತೆಯ ಮಟ್ಟ (MSL) | 1 (ಅನಿಯಮಿತ) |
| ರೀಚ್ ಸ್ಥಿತಿ | ರೀಚ್ ಬಾಧಿತವಾಗಿಲ್ಲ |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
ಹೆಚ್ಚುವರಿ ಸಂಪನ್ಮೂಲಗಳು
| ಗುಣಲಕ್ಷಣ | ವಿವರಣೆ |
| ಇತರ ಹೆಸರುಗಳು | SP000454266 IPD135N08N3GBTMA1TR IPD135N08N3 ಜಿ IPD135N08N3 G-ND |
| ಪ್ರಮಾಣಿತ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ | 2,500 |
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಅರೆವಾಹಕ ಸಾಧನವಾಗಿದ್ದು, ಇದನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಆಂಪ್ಲಿಫೈಯರ್‌ಗಳು ಅಥವಾ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ನಿಯಂತ್ರಿತ ಸ್ವಿಚ್‌ಗಳಲ್ಲಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ.ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳು ಕಂಪ್ಯೂಟರ್‌ಗಳು, ಮೊಬೈಲ್ ಫೋನ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಇತರ ಎಲ್ಲಾ ಆಧುನಿಕ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯನ್ನು ನಿಯಂತ್ರಿಸುವ ಮೂಲ ಬಿಲ್ಡಿಂಗ್ ಬ್ಲಾಕ್‌ಗಳಾಗಿವೆ.
ಅವುಗಳ ವೇಗದ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಯ ವೇಗ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ನಿಖರತೆಯಿಂದಾಗಿ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳನ್ನು ವರ್ಧನೆ, ಸ್ವಿಚಿಂಗ್, ವೋಲ್ಟೇಜ್ ನಿಯಂತ್ರಕ, ಸಿಗ್ನಲ್ ಮಾಡ್ಯುಲೇಶನ್ ಮತ್ತು ಆಂದೋಲಕ ಸೇರಿದಂತೆ ವಿವಿಧ ರೀತಿಯ ಡಿಜಿಟಲ್ ಮತ್ತು ಅನಲಾಗ್ ಕಾರ್ಯಗಳಿಗಾಗಿ ಬಳಸಬಹುದು.ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳನ್ನು ಪ್ರತ್ಯೇಕವಾಗಿ ಅಥವಾ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ನ ಭಾಗವಾಗಿ 100 ಮಿಲಿಯನ್ ಅಥವಾ ಅದಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳನ್ನು ಹಿಡಿದಿಟ್ಟುಕೊಳ್ಳುವ ಅತ್ಯಂತ ಚಿಕ್ಕ ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿ ಪ್ಯಾಕ್ ಮಾಡಬಹುದು.
ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಟ್ಯೂಬ್ಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಅನೇಕ ಪ್ರಯೋಜನಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ:
ಘಟಕವು ಯಾವುದೇ ಬಳಕೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿಲ್ಲ
ಟ್ಯೂಬ್ ಎಷ್ಟೇ ಉತ್ತಮವಾಗಿದ್ದರೂ, ಕ್ಯಾಥೋಡ್ ಪರಮಾಣುಗಳಲ್ಲಿನ ಬದಲಾವಣೆಗಳು ಮತ್ತು ದೀರ್ಘಕಾಲದ ಗಾಳಿಯ ಸೋರಿಕೆಯಿಂದಾಗಿ ಅದು ಕ್ರಮೇಣ ಹದಗೆಡುತ್ತದೆ.ತಾಂತ್ರಿಕ ಕಾರಣಗಳಿಗಾಗಿ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳನ್ನು ಮೊದಲು ತಯಾರಿಸಿದಾಗ ಅದೇ ಸಮಸ್ಯೆ ಇತ್ತು.ಸಾಮಗ್ರಿಗಳಲ್ಲಿನ ಪ್ರಗತಿಗಳು ಮತ್ತು ಹಲವು ಅಂಶಗಳಲ್ಲಿ ಸುಧಾರಣೆಗಳೊಂದಿಗೆ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಟ್ಯೂಬ್‌ಗಳಿಗಿಂತ 100 ರಿಂದ 1,000 ಪಟ್ಟು ಹೆಚ್ಚು ಬಾಳಿಕೆ ಬರುತ್ತವೆ.
ಬಹಳ ಕಡಿಮೆ ವಿದ್ಯುತ್ ಸೇವಿಸಿ
ಇದು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಟ್ಯೂಬ್ನ ಒಂದು ಹತ್ತನೇ ಅಥವಾ ಹತ್ತಾರು ಮಾತ್ರ.ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಟ್ಯೂಬ್‌ನಂತಹ ಉಚಿತ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್‌ಗಳನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸಲು ತಂತುವನ್ನು ಬಿಸಿ ಮಾಡುವ ಅಗತ್ಯವಿಲ್ಲ.ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ರೇಡಿಯೊಗೆ ವರ್ಷಕ್ಕೆ ಆರು ತಿಂಗಳ ಕಾಲ ಕೇಳಲು ಕೆಲವು ಡ್ರೈ ಬ್ಯಾಟರಿಗಳು ಮಾತ್ರ ಬೇಕಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು ಟ್ಯೂಬ್ ರೇಡಿಯೊಗೆ ಮಾಡಲು ಕಷ್ಟಕರವಾಗಿದೆ.
ಪೂರ್ವಭಾವಿಯಾಗಿ ಕಾಯಿಸುವ ಅಗತ್ಯವಿಲ್ಲ
ನೀವು ಅದನ್ನು ಆನ್ ಮಾಡಿದ ತಕ್ಷಣ ಕೆಲಸ ಮಾಡಿ.ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ರೇಡಿಯೊ ಆನ್ ಮಾಡಿದ ತಕ್ಷಣ ಆಫ್ ಆಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಟೆಲಿವಿಷನ್ ಅದನ್ನು ಆನ್ ಮಾಡಿದ ತಕ್ಷಣ ಚಿತ್ರವನ್ನು ಹೊಂದಿಸುತ್ತದೆ.ನಿರ್ವಾತ ಟ್ಯೂಬ್ ಉಪಕರಣಗಳು ಅದನ್ನು ಮಾಡಲು ಸಾಧ್ಯವಿಲ್ಲ.ಬೂಟ್ ಮಾಡಿದ ನಂತರ, ಧ್ವನಿ ಕೇಳಲು ಸ್ವಲ್ಪ ಸಮಯ ಕಾಯಿರಿ, ಚಿತ್ರವನ್ನು ನೋಡಿ.ಸ್ಪಷ್ಟವಾಗಿ, ಮಿಲಿಟರಿ, ಮಾಪನ, ರೆಕಾರ್ಡಿಂಗ್ ಇತ್ಯಾದಿಗಳಲ್ಲಿ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳು ತುಂಬಾ ಅನುಕೂಲಕರವಾಗಿವೆ.
ಬಲವಾದ ಮತ್ತು ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹ
ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಟ್ಯೂಬ್‌ಗಿಂತ 100 ಪಟ್ಟು ಹೆಚ್ಚು ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹ, ಆಘಾತ ಪ್ರತಿರೋಧ, ಕಂಪನ ಪ್ರತಿರೋಧ, ಇದು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಟ್ಯೂಬ್ಗೆ ಹೋಲಿಸಲಾಗದು.ಇದರ ಜೊತೆಗೆ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ನ ಗಾತ್ರವು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಟ್ಯೂಬ್ನ ಗಾತ್ರದ ಹತ್ತನೇ ಒಂದು ಭಾಗದಿಂದ ನೂರರಷ್ಟು ಮಾತ್ರ, ಕಡಿಮೆ ಶಾಖ ಬಿಡುಗಡೆ, ಸಣ್ಣ, ಸಂಕೀರ್ಣ, ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳನ್ನು ವಿನ್ಯಾಸಗೊಳಿಸಲು ಬಳಸಬಹುದು.ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ನ ಉತ್ಪಾದನಾ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯು ನಿಖರವಾಗಿದ್ದರೂ, ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯು ಸರಳವಾಗಿದೆ, ಇದು ಘಟಕಗಳ ಅನುಸ್ಥಾಪನ ಸಾಂದ್ರತೆಯನ್ನು ಸುಧಾರಿಸಲು ಅನುಕೂಲಕರವಾಗಿದೆ.
